Компания Samsung Electronics сообщила, что началось массовое производство улучшенной памяти типа LPDDR4X для использования в автомобильной электронике. Если до этого компания выпускала для электроники машин память 20-нм класса с поддержкой стандарта «Automotive Grade 2», то новая память перешла на техпроцесс класса 10 нм и, что более важно, соответствует требованиям стандарта «Automotive Grade 1». Это означает, что верхняя граница допустимой рабочей температуры памяти поднята со 105 °C до 125 °C.
Увеличение допустимой рабочей температуры не сказалось на производительности памяти. Автомобильная память LPDDR4X даже при нагреве до 125 °C работает на скорости 4266 Мбит/с, что на 14 % быстрее возможностей 8-Гбит чипов LPDDR4 DRAM, выполненных с использованием 20-нм техпроцесса. Кроме этого память LPDDR4X на 30 % энергоэффективнее памяти LPDDR4 DRAM. Впрочем, именно в этом заключается основное отличие LPDDR4X от LPDDR4. Последняя работает при напряжении питания 1,1 В, а первая при напряжении 0,6 В.
В компании Samsung рассчитывают, что новая память LPDDR4X поощрит разработчиков создавать развитую автомобильную электронику. Этому поспособствуют как выдающиеся скоростные характеристики новых чипов, таки и их высочайшая надёжность и устойчивость к высоким рабочим температурам. Компания Samsung отметим, не единственная, кто стремится продвинуть фирменную память в автомобильную электронику. Компания Micron, например, тоже продвигает в автомобили память LPDDR4X, но она также уверена, что в автомобилях будет востребована и другой тип памяти — GDDR6.