Один из авторов сайта WCCFtech распространил информацию, согласно которой компания Micron якобы планирует представить флеш-память с записью восьми бит в одну ячейку. По многочисленным доверенным источникам, продолжает автор, память OLC NAND (Octa-Level NAND) будет представлена в течение первой половины этого года. Иначе говоря, до середины лета ― не позже июля. Другой информации по данному сообщению нет.
Что говорить, звучит заманчиво, но верится с трудом. Дело даже не в сложности реализации такого проекта. Чтобы записать два бита данных в ячейку MLC NAND, необходим сигнал с четырьмя разными уровнями напряжения. Для записи трёх бит в ячейку нужен 8-уровневый сигнал. Для четырёхбитовой ячейки ― 16-уровневый. Ячейка с возможностью хранения 8 бит (байта) должна содержать 256-уровневый сигнал (256 значений (порогов) напряжения). На иллюстрации выше, например, показан сигнал для записи трёх бит в ячейку. Уровень записи имеет 8 порогов в пределах от 0 до 639 мВ. На запись одного уровня (не бита!) требуется свыше 60 мВ. При этом необходимо избежать перекрытия, чтобы облегчить работу контроллеру по коррекции ошибок. Если с таким шагом записывать ячейку с 256-уровневым (8-битным) сигналом, диапазон напряжений для записи выходит за 15 В, что представляется немыслимым.
Нетрудно сообразить, что взять подобный барьер чрезвычайно сложно, если вообще возможно с оправданно-экономической точки зрения. Контроллер памяти OLC NAND должен выполнять сложнейшую работу, как и стократно возрастёт нагрузка на блок коррекции ошибок. Но даже если Micron сможет решить все технические и технологические трудности, выпускать новую и теоретически в два раза более плотную память в период перепроизводства видится сильно неразумным. Проще продолжить наращивать число слоёв памяти 3D NAND, добавив ещё 30 % ёмкости 96-слойным микросхемам за счёт дополнительного 48-слойного кристалла, чем городить огород с 256-уровневой записью в ячейку. По крайней мере, нам так представляется. Будем рады ошибиться.