Последовательная шина Universal Flash Storage (UFS) медленно проникает в смартфоны, но может оказаться широко востребованной в автомобильной электронике. Во всяком случае, производители флеш-памяти с шиной UFS — компании Samsung и Toshiba — раз за разом предлагают разработчикам всё более совершенные модули памяти. Накопители с интерфейсом UFS работают с использованием всего одной или двух линий памяти и отличаются высокой эффективностью при передаче данных. Особенно важно это будет для электромобилей, в которых каждый запасённый ватт электроэнергии можно будет либо пустить на обслуживание электроники, либо потратить на пробег лишних километров.
Свежим пресс-релизом компания Samsung Electronics докладывает о начале массового производства 256-Гбайт модулей eUFS 2.1 с поддержкой части спецификаций UFS 3.0. Комитет JEDEC опубликовал финальные спецификации UFS 3.0 всего десять дней назад. Новая версия стандарта, помимо двукратного увеличения скорости передачи по одной линии до 1,2 Гбайт/с, содержит два «автомобильных» расширения. Именно эти две возможности заложены в новых чипах Samsung. О двукратном увеличении скорости обмена данными речь пока не идёт.
Итак, новые eUFS 2.1 модули Samsung поддерживают расширенный диапазон рабочих температур от −40 °C до 105 °C (память с шиной eMMC 5.1 работает в диапазоне от −25 °C до 85 °C) и, что касается второго нововведения, поддерживают обновление (регенерацию) данных. Обе эти опции появились в третьей версии стандарта, что позволило Samsung заявить о выпуске первой в индустрии памяти eUFS с поддержкой элементов стандарта UFS 3.0. Ради справедливости отметим, что модули eUFS с поддержкой расширенного температурного диапазона максимальным объёмом 128 Гбайт в декабре представила Toshiba.
Как и декабрьская память Toshiba, модули eUFS 2.1 компании Samsung работают с большей производительностью, чем предписывают спецификации UFS 2.1. Так, заявленная скорость обмена по одной линии составляет 850 Мбайт/с, тогда как стандартом установлена максимальная скорость передачи на уровне 600 Мбайт/с. Для чтения случайных блоков производительность приближается к 45 000 IOPS. Встроенные в память Samsung датчики температуры могут передавать данные в управляющий процессор. Тем самым процессор может оперативно понижать частоту обращения к памяти в случае перегрева или заданным образом реагировать на любое установленное пороговое значение температуры.
В Samsung ожидают, что память eUFS распространится в автомобилях премиального класса в качестве компонентов информационных и развлекательных систем, а затем появится в автомобильной электронике всех уровней сложности и классности.